۳-۲ تخلخل……………………………………………………………………………………………………………………………….۴۷
۳-۳ رسانندگی مؤثر………………………………………………………………………………………………………………….۴۹
۳-۳-۱ نحوه ی توزیع پتانسیل در سطوح بر اساس تغییر فرکانس………………………………………………..۵۰
۳-۳-۲ بررسی تحول زمانی رسانندگی بارهای آزاد در طی فرایند رشد سطوح…………………………….۵۰
۳-۳-۳ بررسی وابستگی رسانندگی مؤثر به اندازه ی ذرات…………………………………………………………..۵۵
۳-۳-۴ بررسی رابطه تخلخل و رسانندگی…………………………………………………………………………………۵۷
۳-۳-۵ رابطه رسانندگی مؤثر بارهای آزاد با فرکانس……………………………………………………………….۵۸
۶۱
پیشنهادات…………………………………………………………………………………………………………….. ۶۲
مقالات ارائه شده……………………………………………………………………………………………………...۶۳
مراجع……………………………………………………………………………………………………………………..۶۴
فهرست شکل‌‌ها
عنوان صفحه
شکل ‏۱‑۱: نمودار زبری بر حسب زمان در حالت کلی. ۸
شکل ‏۱‑۲: نمودار لگاریتمی تحول زمانی پهنای فصل مشترک برای مدل BD، به ازای زیر لایه­ های مختلف با مقادیر L=100(○), ۲۰۰(□), ۴۰۰(◊),۸۰۰(∆) ۹

( اینجا فقط تکه ای از متن پایان نامه درج شده است. برای خرید متن کامل فایل پایان نامه با فرمت ورد می توانید به سایت feko.ir مراجعه نمایید و کلمه کلیدی مورد نظرتان را جستجو نمایید. )

شکل ‏۱‑۳: نمایش شماتیکی از مراحل لازم برای باز مقیاس بندی نمودار های ناهمواری وابسته به زمان. نمودار آخر تابع مقیاس بندی نامیده می­ شود. ۱۰
شکل ‏۱‑۴: مکانیزم نشست در مدل انباشت تصادفی. ذره­ی A درA’ و ذره­ی B در B’ می­نشیند. ۱۳
شکل ‏۱‑۵: نمونه ­ای از سطح تولید شده توسط مدل. سایه ها سطح را در زمان­های متوالی با بازه­های زمانی یکسان نشان می دهند. ۱۵
شکل ‏۱‑۶: مدل نشست تصادفی با واهلش سطحی. ذره پس از نشست به مکانی با کمترین ارتفاع سقوط می­ کند. ۱۵
شکل ‏۱‑۷: سطح تولید شده توسط شبیه سازی مدل در زمان های متوالی ودر بازه های زمانی یکسان. ۱۶
شکل ‏۱‑۸: مدل BD با قاعده­ی چسبیدن به نزدیکترین همسایه ۱۷
شکل ‏۱‑۹: سطح تولید شده توسط شبیه سازی مدل . ۱۸
شکل ‏۱‑۱۰: نمایی از قاعده­ی نشست در مدل . ۱۹
شکل ‏۱‑۱۱: مثالی شماتیک از نشست بالستیک ذرات با اندازه های مختلف بر روی سطح. ۲۳
شکل ‏۱‑۱۲: سطح حاصل از نشست ذرات با اندازه های مختلف به ازای . ۲۳
=64 ۲۴
شکل ‏۲‑۱: رسانندگی متناوب بر حسب دما و فرکانس برای دو نوع رسانش الکترونی و یونی. الف) رسانندگی فیلم الماسی پلی کریستال [۳]. ب) رسانندگی در حالت مذاب با ویسکوزیته­ی بسیار بالا[۴]. در فرکانس های پایین رسانندگی ثابت است و در فرکانس­های بالا از یک قانون توانی، با نمای زیر یک، تبعیت می­ کند. ۲۸
شکل ‏۲‑۲: مدارRC معادل، حاصل از گسسته سازی معادله­ ۲-۱۲٫ همگی خازن­ها یکسان و متناسب با ثابت دی الکتریک بارهای مقید می­باشند. در حالیکه هر مقاومت، با معکوس رسانندگی موضعی بارهای آزاد، که وابسته به مکان است، متناسب می­باشد. ۳۲
شکل ‏۲‑۳: نمایی از گسسته سازی شبکه به بلوک­های مربعی و ارتباط هر بلوک با همسایه­های مجاورش. ۳۵
شکل ‏۲‑۴: ماتریس اسپارس (الف) قطری نواری، (ب) بلوک مثلثی و (ج) بلوک سه قطری. ۳۸
شکل ‏۲‑۵: نمایی از ماتریس اسپارس برای یک شبکه­ اولیه­ مستطیلی با ابعاد . ابعاد ماتریس اسپارس تولید شده برای چنین شبکه­ ای بصورت می­باشد. ۳۸
شکل ‏۲‑۶: نمایی از شبکه­ گسسته شده به همراه خانه های اضافه شده برای اعمال شرایط مرزی. ۳۹
شکل ‏۳‑۱: منحنی تغییرات پهنای زبری بر حسب زمان برای سطوح رشد یافته از انباشت ذرات خطی یکسان با طول ، بر روی زیر لایه ­هایی با اندازه­ های متفاوت. نتایج ارائه شده برای بر روی ۱۵۰۰ نمونه ، برای برروی۵۰۰ نمونه و برای بر روی ۲۰۰ نمونه میانگین گیری شده است. ۴۳
شکل ‏۳‑۲: برازش خطی مقادیر بدست آمده برای به ازای زیر لایه­ های مختلف. ۴۴
شکل ‏۳‑۳: منحنی تغییرات پهنای زبری در حالت اشباع برای زیرلایه های مختلف، شیب بدست آمده بیانگر نمای زبری می­باشد. ۴۵
شکل ‏۳‑۴: منحنی تغییرات لگاریتمی پهنای زبری بر حسب زمان برای سطوح رشد یافته ازنشست ذرات خطی با اندازه­ های مختلف: ، بر روی زیرلایه­های متفاوت . نتایج ارائه شده برای بر روی ۱۵۰۰ نمونه ، برای برروی۵۰۰ نمونه و برای بر روی ۲۰۰ نمونه میانگین گیری شده است. ۴۶
شکل ‏۳‑۵: منحنی تغییرات تخلخل بر حسب زمان برای سطح در حال رشد توسط نسشت ذرات با اندازه­ های متفاوت، ، بر روی زیرلایه ای به اندازه­ . ۴۸
شکل ‏۳‑۶ : تغییرات تخلخل بر حسب اندازه­ ذرات برای زیر لایه ای به اندازه­ . ۴۹
شکل ‏۳‑۷: توزیع پتانسیل الکتریکی برای سطح تولید شده توسط ذرات خطی با طول برای مقادیر مختلف s. (الف) ، (ب) ، (ج) ، (د) ، (ه) ، (و) ، (ز) ۵۱
برای های با مقادیر: (الف) ، (ب) ، (ج) ، (د) و (ه). طول زیر لایه می­باشد. ۵۳
شکل ‏۳‑۹: نمودار تغییرات رسانندگی بر حسب زمان به ازای فرکانس­های: ), ۰٫۰۰۲(►), ۰٫۰۲(■), ۰٫۲(♦), ۱(◄)●s = 0( برای سطوح در حال رشد توسط انباشت ذرات خطی یکسان با طول­های: (الف) ، (ب) ، (ج) و (د) . طول زیر لایه می­باشد. ۵۴
شکل ‏۳‑۱۰: مقادیر حسب برای سطوح رشد یافته از ذرات یکسان با طول­های . برای همه سطوح است. (■) بیانگر لگاریتم مقادیر برای هر سطح و )—( شیب حاصل از برازش داده ­ها می­باشد. ۵۵
), (▲), (●), (▼), (♦), (◄), (■), (►). ۵۶
شکل ‏۳‑۱۲: نمودار تغییرات بر حسب ، به ازای و برای فرکانس­های (+), (▲), (●), (▼), (♦), (◄), (■), (►). ۵۷
شکل ‏۳‑۱۳: مقادیر بر حسب تخلخل سطوح رشد یافته از نشست ذرات یکسان با طول­های: ، به ازای . ۵۸
),128(▼), ۶۴(♦), ۱۶(▲), ۱۲(*), ۸(◄), ۶(●), ۴(■), ۲(►) ۵۹
=16(▼),۱۲(●), ۸(*), ۶(■), ۴(◄), ۲(►). ۶۰
شکل ‏۳‑۱۶: تغییرات لگاریتمی شیب­های حاصل از نمودارهای شکل ۳-۱۵ بر حسب اندازه ذرات. (■) بیانگر مقدار شیب­ها است و (—) شیب حاصل از برازش خطی این داده ­ها می­باشد. ۶۰
فهرست جدول­ها